“這一年，可能是我受到用戶批評最多的一年。經(jīng)歷了這些磨難跟痛苦之后，我更加堅信小米鐵律——技術(shù)為本。”12月28日，小米集團創(chuàng)始人、董事長兼CEO雷軍在現(xiàn)場對2021年做出總結(jié)。

今年雷軍與小米同事因小米11、小米Ultra等機器質(zhì)量問題被網(wǎng)友反復(fù)質(zhì)疑，雷軍稱他與同事的壓力很大，也會一條條仔細看網(wǎng)友評論。他稱，“2021年，對小米來說，是跌宕起伏的一年，雖然進展不少，但波折也很多。“

在研發(fā)投入方面，兩年前，小米發(fā)布了未來5年計劃總研發(fā)投入500億元的研發(fā)投入計劃。兩年時間過去了，小米的工程師團隊已超過了16000人，并已投入了220億元。今天，雷軍認為小米還有更大的夢想，500億遠遠不夠。小米計劃更新原有的研發(fā)投入計劃——將原有的500億元提高到1000億元，比原計劃翻一番。并表示小米正式對標蘋果，三年做到全球手機銷量第一。

前幾日，小米集團合伙人、高級副總裁盧偉冰在其個人微博發(fā)文表示，“將智能手機做小比做大更難，因為手機的內(nèi)部空間有限，而用戶對于配置的要求又比較高;如果小米不做小尺寸旗艦，那么Android陣營就沒有一款產(chǎn)品可以對標iPhone13，那么用戶的選擇也是比較少的。”

對標蘋果進一步明確了小米轉(zhuǎn)型高端機型的方向，但小米與蘋果之間，在硬件制造、軟件開發(fā)、生態(tài)建設(shè)等領(lǐng)域的差距，仍需時間來彌補。此前高端機型小米11、小米11 Ultra因品控問題導(dǎo)致的燒主板、燒WiFi、黑屏等質(zhì)量問題引發(fā)網(wǎng)絡(luò)熱議。

此次小米12 Pro搭載4nm制程Armv9架構(gòu)新一代驍龍8旗艦平臺，升級過去的Armv8架構(gòu)，官方宣稱新機將采用超大石墨層、VC均熱板、以及白石墨烯，應(yīng)對驍龍8 Gen1芯片的發(fā)熱。高通公司產(chǎn)品管理副總裁 Ziad Asghar 此前表示，與前代產(chǎn)品相比，驍龍8 Gen1在CPU、GPU等多個領(lǐng)域，功效與散熱都將有所改善。

另外，此次小米12Pro搭載了120W小米澎湃秒充，其澎湃芯片P1采用了120W單電芯方案。澎湃P1充電芯片之前，小米曾發(fā)布28納米的澎湃S1芯片;2021年3月，小米發(fā)布ISP(圖像信號處理)芯片澎湃C1，搭載于小米首款折疊屏手機MIX FOLD上，小米集團手機部總裁曾學(xué)忠表示澎湃C1研發(fā)總投入約為1.4億元。

此次所發(fā)布的充電芯片澎湃P1在行業(yè)人士看來，雖然并非是大眾所關(guān)心的SoC芯片，但從形態(tài)來看也算是芯片的一種，且目前國內(nèi)手機廠商直接做SoC芯片難度太大、投入成本過高，大部分廠商會選擇先從難度較低的領(lǐng)域入手，逐漸積累。

另一位芯片行業(yè)人士對第一財經(jīng)記者表示，充電領(lǐng)域小米此前主要是通過購買其他廠商的快充方案進行，而快充芯片是手機廠商均需競爭的領(lǐng)域，與SoC相比較，充電模擬芯片工藝演進較慢，需要耐壓耐流，考驗廠商的芯片設(shè)計水平;而SoC主要是由數(shù)字IP堆積，工藝一直處于演進動態(tài)中。

另外，該人士稱，耐壓方面，快充芯片的適配度排名是碳化硅、氮化鎵、CMOS，而在消費級則主要以CMOS以及氮化鎵為主，此次小米快充芯片主要是與上海南芯半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“南芯”)合作完成。但截至發(fā)稿，小米方面暫未對該消息進行確認。

今年12月，南芯推出高集成度GaN解決方案SC305x系列，助力客戶打造高功率密度、高安全、高可靠性的快充產(chǎn)品。